[19p-E305-1~15] 13.3 絶縁膜技術

[19p-E305-7] Y₂O₃/SiO₂積層構造の絶縁膜を用いたMOS capacitorの特性評価

〇宋 ジンハン¹、太田 惇丈¹、星井 拓也¹、若林 整¹、筒井 一生²、角嶋 邦之¹ (1.東工大工学院、2.東工大科学技術創成研究院)

キーワード：酸化イットリウム、シリケート、キャパシタ