[19p-E307-1~15] 9.4 Thermoelectric conversion

△ [19p-E307-12] Flexible thermoelectric p- and n-type Si_1-xGe_x formed by Zn-induced layer exchange

〇Mikie Tsuji¹, Takashi Suemasu¹, Kaoru Toko^1,2 (1.Univ. of Tsukuba, 2.JST PRESTO)

Keywords:Flexible thermoelectric, Silicon germanium, Zn-induced layer exchange

SiGe混晶は宇宙用の熱電変換素子として高い実績を持つ．我々はAl誘起層交換を用いることで，高性能化と低温プロセスを両立しプラスチック上で最高水準の p型SiGe熱電薄膜を合成した．一方 Alがアクセプタとして働くことからn型SiGe膜の合成は困難であった．今回，Zn誘起層交換を検討するとともにp型／n型SiGe膜の低温合成と優れた熱電性能を実証したので報告する．