[19p-E308-1~13] 17.3 層状物質

[19p-E308-3] 金属原料を用いた二セレン化ハフニウム薄膜の作製

〇小澤 拓真¹、阿部 優¹、浦上 法之^1,2、橋本 佳男^1,2 (1.信州大工、2.先鋭材料研究所)

キーワード：層状物質、遷移金属ダイカルコゲナイド

二セレン化ハフニウム（HfSe₂）は単原子層において高い電子移動度が予測されると同時に低オフ電流を見込めるバンドギャップを有する層状化合物半導体であり、低消費電力電子素子材料として期待されている。本報告では、石英アンプル内に基板と原料を真空封入し加熱することにより基板上に合成を促す封緘法(セレン化熱処理)でのHfSe₂ 薄膜の合成について報告する。