[19p-E308-1~13] 17.3 Layered materials

△ [19p-E308-6] High-Hall effect mobility of layered ZrS₂ film using sputtering and sulfur vapor annealing

〇(D)Masaya Hamada¹, Kentaro Matsuura¹, Iriya Muneta¹, Takuya Hoshii¹, Kuniyuki Kakushima¹, Tsutsui Kazuo¹, Hitoshi Wakabayashi¹ (1.Tokyo tech.)

Keywords:ZrS2, TMD, Layered material

層状ZrS2膜は二次元半導体遷移金属ダイカルコゲナイドの一つであり、適度なバンドギャップ（単層1.08 eV）と高い移動度（1,200 cm2V-1s-1）を持つことから低消費電力IoTデバイス等への応用が期待される。先行研究ではスパッタ法によって層状半導体MoS2膜の成膜に成功しており、硫黄雰囲気アニール処理によって電気特性が向上することが報告されている。本研究ではスパッタリング法と硫黄雰囲気アニールを用いた層状ZrS2膜の成膜について調査した。