[19p-E308-1~13] 17.3 層状物質

△ [19p-E308-8] その場観測による単層WS₂合成物理因子の直接計測

〇亀山 智矢¹、李 超¹、金子 俊郎¹、加藤 俊顕^1,2 (1.東北大院工、2.JST さきがけ)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、二硫化タングステン

二次元材料の一種である二硫化タングステン(WS₂)は新規透明フレキシブル光電気デバイスへの応用が期待されている。本研究では未だ解明されていない単層WS₂の合成機構を定量的に明らかにすることを目的としており，熱CVD法において，単層WS₂の成長をその場で観測が可能な計測手法を開発した。観測の結果，単層WS₂の重要な合成物理因子である成長寿命や成長速度が実験的に明らかになった。