[19p-E308-1~13] 17.3 層状物質

[19p-E308-9] 溶液プロセスによるWS₂薄膜の作製

〇羽賀 健一¹、中嶋 崇博¹、小林 祐貴¹、徳光 永輔¹ (1.北陸先端大)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、WS2、溶液プロセス

遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）は高い移動度を示し、単層においてもバンドギャップを有する２次元半導体材料として期待されているが、将来的には産業応用に適した大面積・ボトムアップの成膜技術が必要である。溶液法は、剥離・転写なしで目的基板に直接・大面積にTMDC薄膜を形成でき、印刷エレクトロニクスへの応用展開も期待されている。溶液法による作製条件を検討し、WS₂薄膜作製に成功したことを報告する。