[19p-E310-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19p-E310-13] Fabrication of +c AlN/-c AlN Structure toward NIR Wavelength Conversion

〇Yusuke Hayashi¹, Kenjiro Uesugi², Kanako Shojiki³, Ryuji Katayama⁴, Akira Sakai¹, Hideto Miyake^3,5 (1.Grad. Sch. Eng. Sci., Osaka Univ., 2.SPORR, Mie Univ., 3.Grad. Sch. Eng., Mie Univ., 4.Grad. Sch. Eng., Osaka Univ., 5.Grad. Sch. RIS, Mie Univ.)

Keywords:AlN, sputtering, polarity inversion

AlNは~200 nmのバンド端波長、4.3 pm/Vの非線形光学定数d₃₃(λ=1 μm)を有することから、紫外-可視-赤外の広帯域で動作する波長変換材料として有望である。当グループではAl金属ターゲットとAlN焼結体ターゲットを併用した積層方向AlN極性反転技術を開発し、深紫外波長変換デバイスへの応用に取り組んできた。紫外波長でデバイス動作を妨げるレイリー散乱や構造誤差は赤外波長では大きく緩和されることから、初期的実験として光通信波長帯における動作を検討した。本発表では、長波長化に伴う+c AlN/-c AlN構造の厚膜化をクラックフリーに実現する手法を開発したので報告する。