The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[19p-E310-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

Thu. Sep 19, 2019 1:15 PM - 7:00 PM E310 (E310)

Tsutomu Araki(Ritsumeikan Univ.), Ryuji Katayama(Osaka Univ.), Ryota Ishii(Kyoto Univ.)

5:15 PM - 5:30 PM

[19p-E310-14] Demonstration of Second Harmonic Generation by Transverse Quasi-Phase-Matched AlN Waveguide

Asahi Yamauchi1, Shuhei Yamaguchi1, Takuya Onodera1, Yusuke Hayashi2, Hideto Miyake2, Toshiki Hikosaka3, Shinya Nunoue3, Keishi Shiomi1, Yasufumi Fujiwara1, Kazunori Serita1, Iwao Kawayama1, Masayoshi Tonouchi1, Masahiro Uemukai1, Ryuji Katayama1 (1.Osaka Univ., 2.Mie Univ., 3.Toshiba Corp.)

Keywords:nonlinear optical device

窒化物半導体は強誘電体に匹敵する光学非線形性を有しており、波長変換デバイスへの応用が期待されている。我々は、周期的分極反転を伴う縦型擬似位相整合(縦型QPM)構造より容易に作製可能かつ従来構造と同等の波長変換効率を実現できる新規構造として、分極を面内一斉に反転して積層した横型QPM構造を提案してきた。本研究では、横型QPM SHGAlN導波路を作製し、第二高調波発生(SHG)その原理実証に初めて成功したので、これを報告する。