[19p-E310-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-E310-13] 近赤外波長変換に向けた+c AlN/-c AlN構造の作製

〇林 侑介¹、上杉 謙次郎²、正直 花奈子³、片山 竜二⁴、酒井 朗¹、三宅 秀人^3,5 (1.阪大院基礎工、2.三重大地域創生戦略企画室、3.三重大院工、4.阪大院工、5.三重大院地域イノベ)

キーワード：AlN、スパッタ、極性反転

AlNは~200 nmのバンド端波長、4.3 pm/Vの非線形光学定数d₃₃(λ=1 μm)を有することから、紫外-可視-赤外の広帯域で動作する波長変換材料として有望である。当グループではAl金属ターゲットとAlN焼結体ターゲットを併用した積層方向AlN極性反転技術を開発し、深紫外波長変換デバイスへの応用に取り組んできた。紫外波長でデバイス動作を妨げるレイリー散乱や構造誤差は赤外波長では大きく緩和されることから、初期的実験として光通信波長帯における動作を検討した。本発表では、長波長化に伴う+c AlN/-c AlN構造の厚膜化をクラックフリーに実現する手法を開発したので報告する。