[19p-E310-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-E310-15] 2層極性反転積層AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計

〇山内 あさひ¹、小松 天太¹、池田 和久¹、上杉 謙二郎²、正直 花奈子²、三宅 秀人²、彦坂 年輝³、布上 真也³、森川 隆哉¹、藤原 康文¹、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.大阪院工、2.三重院工、3.㈱東芝)

キーワード：非線形光学デバイス

我々は新規構造デバイスとして、AlNの極性を反転して3層積層した横型擬似位相整合（ QPM） 構造を有する導波路第二高調波発生（ SHG） デバイスを提案してきた。また本研究室では作製が容易な波長400 nm帯2層極性反転積層AlN導波路SHGデバイスを作製し、青色SHGの評価の実証に成功した。本研究では、現時点で作製可能な深紫外光発生2層極性反転積層AlN導波路SHGデバイスの設計を行ったので報告する。