[19p-E311-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-E311-13] 液体原料（GaCp*）を用いた高純度Ga₂O₃薄膜の原子層堆積

〇水谷 文一¹、東 慎太郎¹、井上 万里²、生田目 俊秀² (1.高純度化学研究所、2.NIMS)

キーワード：原子層堆積、酸化ガリウム

液体のペンタメチルシクロペンタジエニルガリウム（GaCp*）を原料とし、水および酸素プラズマを酸化剤として用いて、成長温度200℃で原子層堆積を行い、酸化ガリウム薄膜を得た。得られた酸化ガリウム薄膜を、D-SIMSによってデプスプロファイルを分析した結果、この膜は、炭素混入の極めて少ない高純度の膜であることが分かった。