16:30 〜 16:45 [19p-E311-13] 液体原料(GaCp*)を用いた高純度Ga2O3薄膜の原子層堆積 〇水谷 文一1、東 慎太郎1、井上 万里2、生田目 俊秀2 (1.高純度化学研究所、2.NIMS)