[19p-E311-1~14] 6.3 Oxide electronics

△ [19p-E311-3] The Electrochemical impedance analysis of electrochemical parameter changes with CBRAM resistive switching

〇Shotaro Kawanami¹, Akito Igarashi¹, Kentaro Kinoshita¹ (1.Tokyo Univ. of Sci.)

Keywords:CB-RAM, Resistive random access memory, Electrochemical impedance spectroscopy method

我々は以前, 電気化学インピーダンス法(EIS法)を用いて, CBRAMの各電気化学パラメータの面積依存を詳細に調べる事で, パラメータの素子内分布を明らかに出来ることを示した. しかし, 先の報告は初期状態(IRS)におけるものであったため, 本研究では抵抗変化前後における電気化学パラメータの素子内分布の変化を調査した. 結果として, EIS法によるR_ct, C_dlの面積依存性評価を通じて RSに伴う, 金属架橋の縦(gap間隔), 横(太さ) 両方向への成長や減退の様子を把握する事が可能である事が示された.