一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
2019年9月19日(木) 13:15 〜 17:00 E311 (E311)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
13:15 〜 13:30
〇佐藤 洋士1,2、木下 健太郎1、本間 祐晟2、島 久2、内藤 泰久2、秋永 広幸2、伊藤 敏幸3 (1.東理大理、2.産総研、3.鳥取大)
スケジュール
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13:30 〜 13:45
〇福本 紳智1、木下 健太郎1 (1.東理大理)
スケジュール
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13:45 〜 14:00
〇川並 将太朗1、五十嵐 聡人1、木下 健太郎1 (1.東理大理)
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14:00 〜 14:15
〇(D)相場 諒1、小泉 凌太1、金子 哲1、木口 学1 (1.東工大)
スケジュール
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14:15 〜 14:30
〇(M2)奥田 裕司1,2,3、川北 純平2,3、谷内 敏之2,3、島 久2,4、清水 敦史1,4、内藤 泰久2,4、木下 健太郎1、秋永 広幸2,4、辛 埴2,3 (1.東理大理、2.産総研・東大 OIL、3.東大物性研、4.産総研ナノエレ)
スケジュール
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14:30 〜 14:45
〇(M2)宮谷 俊輝1、西 佑介1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
スケジュール
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14:45 〜 15:00
〇山田 和尚1、西 佑介1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
スケジュール
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15:00 〜 15:15
〇金上 尚毅1、西 佑介1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
スケジュール
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15:30 〜 15:45
〇(M1)對馬 圭佑1、柏木 誠1、賈 軍軍2、小野 大祐3、松中 繁樹3、重里 有三1 (1.青学大院、2.早大国際理工学センター、3.芝浦メカトロニクス)
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15:45 〜 16:00
〇(D)Suchada Worasawat1,2、Yoichiro Neo2、Yoshinori Hatanaka2、Wisanu Pecharapa3、Hidenori Mimura2 (1.GSST, Shizuoka Univ.、2.RIE, Shizuoka Univ.、3.College of Nanotechology, KMITL)
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16:00 〜 16:15
〇(D)Natangue Heita Shafudah1、Hiroki Nagai2、Yukihiro Kudoh3、Taiju Takahashi4、Mitsunobu Sato5 (1.Appl Chem Chem Eng、2.Appl Phys、3.Infor and commu Eng、4.Inform and commu Eng、5.Apply Phys)
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16:15 〜 16:30
〇(DC)GOWOON KIM1、Hai Jun Cho1、Bin Feng2、Yuichi Ikuhara2、Hiromichi Ohta1 (1.Hokkaido Univ.、2.Univ. Tokyo)
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16:30 〜 16:45
〇水谷 文一1、東 慎太郎1、井上 万里2、生田目 俊秀2 (1.高純度化学研究所、2.NIMS)
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16:45 〜 17:00
〇(M1)リ トウ1、市村 正也1 (1.名工大工)
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