[19p-E311-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19p-E311-3] CBRAM抵抗変化に伴う電気化学パラメ-タ変化のインピーダンス解析

〇川並 将太朗¹、五十嵐 聡人¹、木下 健太郎¹ (1.東理大理)

キーワード：CB-RAM、抵抗変化型メモリ、電気化学インピーダンス法

我々は以前, 電気化学インピーダンス法(EIS法)を用いて, CBRAMの各電気化学パラメータの面積依存を詳細に調べる事で, パラメータの素子内分布を明らかに出来ることを示した. しかし, 先の報告は初期状態(IRS)におけるものであったため, 本研究では抵抗変化前後における電気化学パラメータの素子内分布の変化を調査した. 結果として, EIS法によるR_ct, C_dlの面積依存性評価を通じて RSに伴う, 金属架橋の縦(gap間隔), 横(太さ) 両方向への成長や減退の様子を把握する事が可能である事が示された.