[19p-E313-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [19p-E313-8] 歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造の反転キャリアのHall移動度評価

〇(M2)浪内 大地¹、澤野 憲太郎²、各川 敦史¹、佐野 雄一¹、泉 大輔¹、有元 圭介¹、山中 淳二¹、原 康祐¹、中川 清和¹ (1.山梨大学、2.東京都市大総研)

キーワード：Hall移動度、歪みSi、Hall効果

CMOSデバイスの高性能化、低消費電力化を実現するために、正孔移動度を向上させる必要がある。(110)面を表面に有する伸張歪みSiは正孔有効質量を無歪みSiの半分以下にできるという計算結果がある。本研究では、ゲート電極付きHall Barを用いてゲート電圧印加下においてHall測定を行い、正孔移動度の評価を試みた。Siに比べ歪みSiデバイスの方が高移動度である事を確認した。また歪みSiが薄い方が移動度向上に有効であった。