[19p-E315-1~7] 13.9 化合物太陽電池

[19p-E315-6] エピタキシャル Cu(In,Ga)Se₂太陽電池構造のバンドプロファイルの評価

〇(M1)高木 佑誠¹、岩本 悠矢¹、谷川 昂平¹、西永 慈郎²、永井 武彦²、反保 衆志²、柴田 肇²、石塚 尚吾²、寺田 教男¹ (1.鹿児島大、2.産総研)

キーワード：化合物太陽電池、正・逆光電子分光

Cu(In,Ga)Se₂ エピタキシャル薄膜(epi.CIGSe)を光吸収層に用いた太陽電池は面内均一性・表面平坦性に優れる為、太陽電池性能と強い相関がある光吸収層内のバンド傾斜等を、電子状態の観点から研究する上で理想的プラットホームとなる。本講演ではCdS/epi.CIGSe/構造のバンドプロファイル、光起電力等の基礎的知見を正・逆光電子分光法、表面光起電力分光法により収集した結果を報告する。