[19p-F211-1~10] 31.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

[19p-F211-5] 強誘電体FETを用いたリザバーコンピューティングの実験的検証

〇名幸 瑛心¹、トープラサートポン カシディット¹、中根 了昌¹、宮武 悠人¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東京大工)

キーワード：リザバーコンピュティング、強誘電体FET

強誘電体FETがリザバーコンピューティング用素子に求められる特性をどの程度有するか実験的に検証した。実験では記憶容量を評価するShort Term Memory (STM)タスクと非線形性を評価するParity Check (PC)タスクを実行した。実験結果から強誘電体FETにはリザバーコンピューティング用素子に求められる特性が備わっていることが分かった。