[19p-PA1-1~10] 3.1 光学基礎・光学新領域

[19p-PA1-9] 光渦照光渦照射下における量子ホール電子系の電気伝導

〇伏見 淳毅¹、音 賢一^1,2、山田 泰裕¹、三野 弘文^1,3、尾松 孝茂^2,4 (1.千葉大院理、2.千葉大分子キラリティ研、3.千葉大国際教養、4.千葉大院工)

キーワード：光渦、半導体、量子ホール効果

量子ホール状態下のGaAs/ AlGaAsヘテロ構造2次元電子系に照射する光渦の軌道角運動量を変化させた際の磁気抵抗の変化ΔRを測定した。励起光は極低温でのGaAsバンドギャップ付近の波長とし、試料端のエッジ状態に光渦を直接照射した。ランダウ準位の占有数に対応してΔRの値に変化がみられ、これは光渦の軌道角運動量の変化に対応した電子励起や散乱の変化が捉えられているものと考えられる。この他、軸対称偏光モードの光での結果も報告する