[19p-PA3-1~9] 6.1 Ferroelectric thin films

[19p-PA3-2] Dependence of electrical characteristics on channel layer structure of ZnO-FET integrated with piezoelectric (P (VDF-TrFE)) film for gate insulator

〇Takuya Okayama¹, Shusaku Matsumoto¹, Akio Furukawa¹ (1.Tokyo Univ. of Science)

Keywords:ferroelectrics, semiconductor, P(VDF-TrFE)

本研究は、FET のゲート絶縁膜に圧電体材料を用いる事により、圧力検出を行うセンサ部とFETを一体化した接触センサデバイスの作製を目的としている。これまで、Alドープ ZnO 層チャネル上に直接P(VDF-TrFE)ゲート絶縁膜を成膜したFETの特性を報告してきたが、本報告では、チャネル上にバンドギャップがやや広いMgZnOを積層させ、その上にP(VDF-TrFE)ゲート絶縁膜を成膜したFETにおけるチャネル電流の変化等の特性について報告する。