[19p-PA3-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

[19p-PA3-7] RFスパッタリング装置を用いたガラス基板上へのPZT薄膜成膜

〇(M1)上田 一貴¹、神野 伊策¹ (1.神戸大工)

キーワード：PZT、圧電薄膜、ガラス基板

Pb(Zr, Ti)O₃ (PZT)圧電薄膜は高い圧電性を有する材料として注目されており，Si基板上PZT薄膜を用いたMEMSデバイスへの応用が検討されている．一方，Si以外の基板として特にガラス基板上に圧電薄膜を成膜することで光学素子やディスプレイと集積化した新しい応用デバイスが期待されている．本研究では，耐熱性を考慮した設定温度下で，RFスパッタリング法を用いてガラス基板上にPZT薄膜を成膜し，その圧電特性を評価した．