[19p-PA4-1~13] 6.6 Probe Microscopy

[19p-PA4-9] Band alignment at atomic-layer heterostructure measured by STM/STS

〇(M1)Naoki Fujii¹, Kota Murase¹, Shoji Yoshida¹, Yu Kobayashi², Yasumitu Miyata², Osamu Takeuchi¹, Hidemi Shigekawa¹ (1.Tsukuba Univ, 2.Tikyo Met Univ)

Keywords:semiconductor, transition metal dichalcogenide

遷移金属ダイカルコゲナイド原子層ヘテロ接合におけるバンドアライメントは、バンドオフセットに加えて格子歪みの影響を強く受けるため、バンドアライメントを計測評価する必要がある。我々は、STM/STSを用いてMoS2/MoSe2ヘテロ接合界面における格子歪みと電子状態の同時計測を行い、価電子帯上端で0.5eVのバンドギャップの縮小が起こることを明らかにした。