[19p-PA4-1~13] 6.6 プローブ顕微鏡

[19p-PA4-9] 原子層ヘテロ接合界面におけるバンドアライメントのSTM/STS計測

〇(M1)藤井 直樹¹、村瀬 康太¹、吉田 昭二¹、小林 祐²、宮田 耕充²、武内 修¹、重川 秀実¹ (1.筑波数物、2.首都大)

キーワード：半導体、遷移金属ダイカルコゲナイド

遷移金属ダイカルコゲナイド原子層ヘテロ接合におけるバンドアライメントは、バンドオフセットに加えて格子歪みの影響を強く受けるため、バンドアライメントを計測評価する必要がある。我々は、STM/STSを用いてMoS2/MoSe2ヘテロ接合界面における格子歪みと電子状態の同時計測を行い、価電子帯上端で0.5eVのバンドギャップの縮小が起こることを明らかにした。