[19p-PA7-1~10] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[19p-PA7-10] Cu₂GeTe₃相変化メモリにおける動作エネルギーの電極面積依存性

〇(M1)飯島 平¹、安藤 大輔¹、須藤 祐司¹、ジュン ソプ アン²、ユン ヘブ ソン² (1.東北大院工、2.ハンニャン大)

キーワード：カルコゲン系材料

相変化メモリの低消費電力での動作には相変化材料の融点が低いことが求められる。実用材であるGe₂Sb₂Te₅(GST)は融点が高く、結晶化温度が低いという課題があり、我々のグループでは低融点、高結晶化温度であるCu₂GeTe₃(CGT)を提案している。CGT相変化メモリにおける動作エネルギーの電極面積依存性が明らかになっていないため調査したところ、CGT相変化メモリの方がGST相変化メモリに比べ動作エネルギーに及ぼす電極面積依存性が強いことがわかった。