[19p-PB2-1~7] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[19p-PB2-5] 耐放射線イメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiC画素集積化プロセス

〇目黒 達也¹、長谷部 史明¹、武山 昭憲²、大島 武²、田中 保宣³、黒木 伸一郎¹ (1.広島大ナノデバイス、2.量研機構、3.産総研)

キーワード：耐放射線、基板接合、イメージセンサ