[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-11] AlGaNバックバリアを有するSi基板上GaN HEMTの電気特性

〇星 拓也¹、吉屋 佑樹¹、杉山 弘樹¹、中島 史人¹、松崎 秀昭¹ (1.NTT先端集積デバイス研)

キーワード：GaN HEMT、高抵抗Si基板、AlGaNバックバリア