[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-12] 部分的に薄層化したAlGaN 層によるAlGaN/GaN コンタクト抵抗
低減効果の薄層領域パターン依存性

〇木村 安希¹、久永 真之佑¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、岩井 洋¹、筒井 一生¹ (1.東工大)

キーワード：高電子移動度トランジスタ、コンタクト、GaN