[19p-PB3-1~24] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-PB3-14] Post-deposition annealing effects on electrical properties of ALD-SiO₂/AlGaN/GaN MIS-HEMTs

〇Shunichi Yokoi¹, Toshiharu Kubo¹, Takashi Egawa¹ (1.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:semiconductor, GaN, Post-deposition annealing

良好な電流-電圧特性を有するMIS-HEMTを作製するためには、成膜後熱処理（PDA）が有効であることが知られている。しかしながら、ALD-SiO₂/AlGaN/GaNヘテロ構造に対するPDAの効果は十分には明らかにされていない。そこで本研究では、PDA処理を行いALD-SiO₂/AlGaN/GaN MIS-HEMTsのデバイス特性の評価を行い、電気特性を改善することを目的とした。