[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-14] ALD-SiO₂/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼす成膜後熱処理の効果

〇横井 駿一¹、久保 俊晴¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：半導体、窒化ガリウム、成膜後熱処理

良好な電流-電圧特性を有するMIS-HEMTを作製するためには、成膜後熱処理（PDA）が有効であることが知られている。しかしながら、ALD-SiO₂/AlGaN/GaNヘテロ構造に対するPDAの効果は十分には明らかにされていない。そこで本研究では、PDA処理を行いALD-SiO₂/AlGaN/GaN MIS-HEMTsのデバイス特性の評価を行い、電気特性を改善することを目的とした。