[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-15] 犠牲酸化膜応用を目的とした高圧水蒸気処理によるGaNの低温酸化

〇多田 雄貴¹、上沼 睦典¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：窒化ガリウム、高圧水蒸気処理、低温酸化

水を用いたGaNの酸化処理においては、超臨界条件において熱酸化よりも速いレートで酸化膜が形成される。しかし、表面ラフネスが大きくデバイスへの応用が困難である。一方で、高圧水蒸気処理では、基板表面に薄い酸化膜が形成され、表面ラフネスは小さい。本研究では、高圧水蒸気を用いた酸化処理によってGaN基板表面に酸化膜の形成を行い、得られた酸化膜を犠牲酸化膜へ応用する。