[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-17] GaN基板へのMgのチャネリングイオン注入

〇西村 智朗¹、池田 清次¹、中村 徹¹、加地 徹² (1.法政大、2.名古屋大)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入

180 keV Mgを自立GaN基板に対しランダム入射条件とチャネリング入射条件で1×10¹⁴ cm^-2注入し、活性化アニールした試料をSIMS, PL, CL等で分析した。ランダム入射条件ではアニール前後でほぼMgの分布が変化せず～0.17μmにピークを持っている。一方チャネリング入射条件では～0.3μmにピークを持っていた。この分布はアニール後にはおおよそ10μm程度まで広がり、注入されたMgが熱処理によって拡散していることを示している。