2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2019年9月19日(木) 13:30 〜 15:30 PB3 (第二体育館)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-17] GaN基板へのMgのチャネリングイオン注入

西村 智朗1、池田 清次1、中村 徹1、加地 徹2 (1.法政大、2.名古屋大)

キーワード:窒化ガリウム、イオン注入

180 keV Mgを自立GaN基板に対しランダム入射条件とチャネリング入射条件で1×1014 cm-2注入し、活性化アニールした試料をSIMS, PL, CL等で分析した。ランダム入射条件ではアニール前後でほぼMgの分布が変化せず~0.17μmにピークを持っている。一方チャネリング入射条件では~0.3μmにピークを持っていた。この分布はアニール後にはおおよそ10μm程度まで広がり、注入されたMgが熱処理によって拡散していることを示している。