[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-18] GaN基板上MOVPE p-GaNのH_d (E_v+0.88 eV)トラップ濃度面内分布

〇(M1)吉田 光¹、竹内 和歌奈¹、徳田 豊¹、成田 哲生²、冨田 一義²、加地 徹³ (1.愛知工大、2.豊田中央研究所、3.名古屋大学)

キーワード：p-GaN

DLTS測定を用い、MOVPE成長p-GaNに観測されるH_d (E_v+0.88 eV)正孔トラップの濃度面内分布について検討を行った。SIMS測定より、中心部から端部にかけて炭素濃度が増加していることが確認された。H_d­­­トラップ濃度についても半径方向に沿って増加していることが観測され、炭素濃度面内分布とH_dトラップ濃度面内分布の増加傾向が一致した。