[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-20] Mgイオン注入したGaNに対する長時間低温熱処理の効果

〇(M1)村井 駿太¹、鴨志田 亮¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入

GaNパワーデバイス作製プロセスにおいて、p型領域を選択的に形成するにはMgイオン注入が有力な手段となる可能性が高いが、未だ完成された技術とはなっていない。技術確立のためには、欠陥を制御することができる低温熱処理の方法を探ることが鍵になる可能性がある。すなわち、Mgイオン注入により、GaNバルク中および表面において発生する欠陥準位や表面準位について調べ、低温熱処理による効果を理解することが重要である。本報告では、Mgイオン注入したGaNに対する長時間の低温熱処理について検討し報告する。