[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-6] ドライエッチング後のn-GaN/i-GaN on Siにおける表面形態

〇岡本 萌¹、森山 裕貴¹、新海 聡子¹ (1.九工大)

キーワード：窒化ガリウム(GaN)