[19p-PB3-1~24] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-PB3-5] Characterization of processed n-GaN surface using an electrochemical impedance spectroscopy (2)

〇Kentaro Takeda¹, Masachika Toguchi¹, Taketomo Sato¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ)

Keywords:electrochemical impedance spectroscopy, photo electrochemical etching

これまでに、n型GaN表面に導入された加工損傷を、溶液中の光電気化学（PEC）反応を利用して除去する低損傷エッチング法を開発し、その効果を溶液中でその場（in-situ）評価する手法を検討してきた。今回は、トラップ準位を仮定した溶液/n-GaN界面の等価回路モデルと、それを利用した電気化学インピーダンス分光（EIS）法による解析結果について報告する。