[19p-PB4-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19p-PB4-3] Below-Gap励起光を用いたFET構造4H-SiCの欠陥準位の検出

〇小野寺 奎¹、鎌田 憲彦¹、土方 泰斗¹、武山 昭憲²、大島 武²、吉江 徹³ (1.埼玉大院理工、2.量子科学技術研、3.サンケン電気)

キーワード：SiC、フォトルミネッセンス