2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.4 有機EL・トランジスタ

[19p-PB8-1~32] 12.4 有機EL・トランジスタ

2019年9月19日(木) 16:00 〜 18:00 PB8 (第二体育館)

16:00 〜 18:00

[19p-PB8-16] dual-gate および tri-gate 構造を用いた印刷型有機トランジスタの閾値電圧制御

〇(M1)和田 英樹1、塩飽 黎1,2、福田 貴2、時任 静士1、松井 弘之1 (1.山形大ROEL、2.東ソー(株))

キーワード:有機トランジスタ、閾値電圧、トライゲート構造

有機トランジスタを集積回路に応用する際、その回路の目的に合わせてゲート閾値電圧を適切に制御することが重要である。塗布法による高分子絶縁膜に適用可能な閾値電圧制御技術についてはまだ課題が多く、本研究では印刷型有機トランジスタに適用可能な閾値電圧制御技術として、不純物ドーピング、dual-gate構造、およびtri-gate構造の三つを詳細に比較検討した。