[20a-B31-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-B31-1] Ar+O₂+H₂スパッタIn–Ga–Zn­–O薄膜の電子状態評価

〇(D)曲 勇作¹、増田 健太郎¹、牧野 久雄^1,2、古田 守^1,2 (1.高知工科大、2.高知工科大総研)

キーワード：酸化物半導体、InGaZnO、硬X線光電子分光法

IGZOは高い電界効果移動度を有し室温成膜可能などの特徴からフレキシブルなデバイスへの応用が期待される。我々はIGZOスパッタ成膜中の雰囲気水素濃度を制御することで、これまで300℃以上必要であった熱処理温度をプラスチック基板が使用可能な150℃にまで低減できることを見いだし、薄膜トランジスタやショットキーダイオード特性の大幅な向上を確認した。今回、硬X線光電子分光法により水素化IGZO膜の電子状態を解析したので報告する。