[20a-B31-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-B31-2] In-Sn-Zn-Oのホットワイヤ水素化とアニールによるTFT信頼性評価

〇清水 耕作¹ (1.日大生産工(院))

キーワード：酸化物半導体、ギャップ内準位、信頼性

ITZOに原子状水素照射による水素化を行った。 製膜後アニールと水素化後アニールを行い、素子のギャップ内準位、伝達特性を評価した。水素化処理後、表面をガラス基板で覆った状態でアニールした場合は、ON電流、移動度の上昇がみられ、しかもOFF電流も低下することがわかった。フィッティング評価した結果、原子状水素は、MIS界面にまで到達しており、バックチャネルのみならずMIS界面まで欠陥を補填している可能性が示唆された。