[20a-B31-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-B31-4] 高品質IGZO膜の成膜技術開発

〇上野 充¹、半那 拓¹、小林 大士¹、新井 真¹、清田 淳也¹ (1.アルバック)

キーワード：酸化物半導体、IGZO、スパッタ

Magnetron sputter cathodeのtarget裏面に設置されたmagnetを3種類の磁場強度で準備し、channel層成膜時のplasma密度を変化させたTFT伝達特性を評価した。TFTの初期伝達特性では、磁場強度依存性は確認されなかったが、信頼性評価においては、磁場強度に依存する信頼性の改善が得られた。