[20a-B31-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-B31-6] Ar+O­₂+H₂スパッタ成膜によるIn­–Ga–O薄膜の結晶性･電気特性制御

〇(M1C)神寳 健太¹、是友 大地¹、古田 守¹、川嶋 絵美²、霍間 勇輝² (1.高知工科大、2.出光興産)

キーワード：酸化物半導体、In–Ga–O、In–Ga–Zn–O

In–Ga–Zn–O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)は次世代ディスプレイへの応用が期待されている。一方で低温ポリシリコンTFTと比較すると更なる高移動化の要求も強い。その中でIn–Ga–O (IGO)はスパッタ成膜時に水(H₂O)を添加することで結晶性制御が可能であり、移動度39.1 cm²/Vsが報告されている。また、我々はAr+O₂+H₂スパッタ成膜によりIGZO TFT作製温度の低温化が可能である事を報告している。本研究では、Ar+O₂+H₂スパッタ成膜によるIGO薄膜の特性制御を行いHall移動度115 cm²/Vsを得た。