[20a-B31-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20a-B31-9] 低温ALD法で作製したCドープIn₂O₃膜を用いた酸化物TFTの特性

〇小林 陸^1,2、生田目 俊秀²、栗島 一徳^2,3、女屋 崇^1,2,4、大井 暁彦²、池田 直樹²、長田 貴弘²、塚越 一仁²、小椋 厚志¹ (1.明大理工、2.物材機構 MANA、3.学振PD、4.学振DC)

キーワード：酸化物半導体

薄膜トランジスタ(TFT)のチャネル材料として用いられるIn₂O₃膜の作製方法として、原子層堆積(ALD)法が報告されている。しかし、as-grownのIn₂O₃膜は金属的な特性を示すためにO₂あるいはO₃ポストアニールがなされているが、そのプロセスは一般に高温であった。本研究では、150 ºCの低温ALD法で作製したCドープIn₂O₃ (In-O-C)膜をチャネル材料としたバックゲート型TFTを作製し、低温O₃アニールによるIn-O-Cチャネルの電気特性の変化について調べた結果を報告する。