[20a-C212-1~4] Hydrogen in oxides and its role

[20a-C212-4] Resistive switching induced by diffusion of hydrogen ions

〇Kentaro Kinoshita¹ (1.Tokyo Univ. of Sci.)

Keywords:ReRAM, hydrogen ion, oxygen vacancy

ぺロブスカイト系酸化物に水素を取り込むことで、水素イオンの拡散によって動作する新規ReRAMの作製に成功した。水素イオン移動型は従来の酸素イオン移動型に比べて高速書き替えが可能である。更に、水素イオンと酸素イオンでは電圧応答速度が異なることを利用して、印加電圧パルスの振幅及び幅によってイオンの移動を選択的に制御し、各イオンの移動より独立に抵抗変化を誘起する「波長選択型機能素子」の実現が可能であることを示した。