[20a-C309-1~13] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [20a-C309-4] Characteristics of the Hf_0.5Zr_0.5O₂ Thin Films Grown by a Chemical Solution Deposition Method

〇(M2)Taichi Inoue¹, Hiroshi Ota¹, Ryota Nakamura¹, Yuichi Hirohuji¹, Masatoshi Koyama¹, Kazuto Koike¹, Mitsuaki Yano¹ (1.Osaka Inst. of Tech., NMRC)

Keywords:Hf0.5Zr0.5O2, Chemical solution deposition, Spin-coating

酸化ハフニウム・ジルコニウム（HZO）薄膜は強誘電体メモリの候補材料として注目されている．この材料は多様な結晶構造を有するため，構造を制御した成膜技術の開発が必要である．今回我々は，HfCl₄とZrCl₄を等モル比で混合した前駆体溶液を用いた溶液塗布熱分解法（ゾル・ゲル法）でHZO薄膜の成膜を試みた．X線回折測定の結果，大気中で500℃以上の焼成を行うと，強誘電特性の発現が期待できるorthorhombic構造が支配的になることがわかった．