[20a-C309-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

△ [20a-C309-4] 溶液塗布熱分解法によるHf_0.5Zr_0.5O₂薄膜の作製

〇(M2)井上 泰一¹、大田 宗司¹、中村 領太¹、広藤 裕一¹、小山 政俊¹、小池 一歩¹、矢野 満明¹ (1.大阪工大ナノ材研)

キーワード：酸化ハフニウム・ジルコニウム、溶液塗布熱分解法、スピンコート

酸化ハフニウム・ジルコニウム（HZO）薄膜は強誘電体メモリの候補材料として注目されている．この材料は多様な結晶構造を有するため，構造を制御した成膜技術の開発が必要である．今回我々は，HfCl₄とZrCl₄を等モル比で混合した前駆体溶液を用いた溶液塗布熱分解法（ゾル・ゲル法）でHZO薄膜の成膜を試みた．X線回折測定の結果，大気中で500℃以上の焼成を行うと，強誘電特性の発現が期待できるorthorhombic構造が支配的になることがわかった．