[20a-C309-1~13] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [20a-C309-5] Electric field-induced phase transition of HfO₂-based thin films

〇Yuuki Tasiro¹, Takanori Mimura¹, Takao Shimizu¹, Yoshio Katsuya², Osami Sakata², Takanori Kiguchi³, Takahisa Shiraishi³, Toyohiko Konno³, Hiroshi Funakubo¹ (1.Tokyo Tech., 2.NIMS, 3.Tohoku Univ.)

Keywords:Ferroelectric, Thin film, Hafnium oxide

極薄膜で強誘電特性を示すHfO₂はこれまで準安定相である斜方晶相（強誘電相）を安定化させるために様々な元素をドープした研究が行われてきた。我々は前回HfO₂薄膜にY, Zrを共ドープしたHf-Zr-Y-O薄膜を作製し、強誘電特性を示す組成について報告した。本研究では良好な強誘電特性が確認できた組成の中で、XRD測定結果から明瞭な斜方晶相由来のピークが確認できなかった組成に着目し、強誘電特性の発現について調査を行った。