[20a-C309-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

△ [20a-C309-5] HfO₂基薄膜の電界誘起相転移

〇田代 裕貴¹、三村 和仙¹、清水 荘雄¹、勝矢 良雄²、坂田 修身²、木口 賢紀³、白石 貴久³、今野 豊彦³、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.NIMS、3.東北大学)

キーワード：強誘電体、薄膜、ハフニア

極薄膜で強誘電特性を示すHfO₂はこれまで準安定相である斜方晶相（強誘電相）を安定化させるために様々な元素をドープした研究が行われてきた。我々は前回HfO₂薄膜にY, Zrを共ドープしたHf-Zr-Y-O薄膜を作製し、強誘電特性を示す組成について報告した。本研究では良好な強誘電特性が確認できた組成の中で、XRD測定結果から明瞭な斜方晶相由来のピークが確認できなかった組成に着目し、強誘電特性の発現について調査を行った。