[20a-C309-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

△ [20a-C309-6] 【注目講演】スパッタリング法を用いたY: HfO₂強誘電体膜の室温成膜

〇(DC)三村 和仙¹、清水 荘雄¹、舟窪 浩¹ (1.東工大物院)

キーワード：強誘電体、HfO2、室温成膜

強誘電体薄膜では製膜コストの低減や、耐熱性の低い基板上での成膜への要求から製膜温度の低減化が求められている。近年、新規強誘電体材料として単純酸化物であるHfO₂基強誘電体が発見された。この材料はスパッタリング法を用いて室温で常誘電相である単斜晶相結晶膜の作製に成功した報告がある。本研究ではスパッタリング法を用いて、室温で斜方晶相を有するHfO₂基強誘電体の作製に初めて成功したので、それについて報告をする。