The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

Presentation information

Oral presentation

17 Nanocarbon Technology » 17.3 Layered materials

[20a-E201-1~10] 17.3 Layered materials

Fri. Sep 20, 2019 9:00 AM - 11:45 AM E201 (E201)

Kenzo Maehashi(TUAT)

11:15 AM - 11:30 AM

[20a-E201-9] Consideration of Electron Transfer Mechanism between MoS2 and Amide Molecules

Akito Fukui1, Yuh Hijikata2, Jenny Pirillo2, Yuki Aoki1, Yuki Yamada1, Takeshi Yoshimura1, Atsushi Ashida1, Norifumi Fujimura1, Daisuke Kiriya1,3 (1.Osaka Pref. Univ., 2.Hokkaido Univ., 3.JST PRESTO)

Keywords:Two-dimentional semiconductor, Transition Metal Dichalcogenide, MoS2

我々は、2次元半導体のデバイス応用に向け、非破壊的な処理が可能な分子との相互作用によるキャリア濃度の制御を試みている。前回の応用物理学会において、アミド系分子であるN, N-ジメチルホルムアミド(DMF)が2次元半導体の一つであるMoS2に対し有効なドーパントとなること、またDMF分子とMoS2の間に特異的な相互作用があることを報告した。本発表では、MoS2とDMF分子間の相互作用について、さらなる検討を行ったので報告をする。