[20a-E201-1~10] 17.3 層状物質

[20a-E201-9] MoS₂/アミド系分子間の電子移動メカニズムの検討

〇福井 暁人¹、土方 優²、Jenny Pirillo²、青木 佑樹¹、山田 悠貴¹、吉村 武¹、芦田 淳¹、藤村 紀文¹、桐谷 乃輔^1,3 (1.大阪府大工、2.北海道大WPI-ICReDD、3.科学技術振興機構さきがけ)

キーワード：二次元半導体、遷移金属ダイカルコゲナイド、二硫化モリブデン

我々は、2次元半導体のデバイス応用に向け、非破壊的な処理が可能な分子との相互作用によるキャリア濃度の制御を試みている。前回の応用物理学会において、アミド系分子であるN, N-ジメチルホルムアミド（DMF）が2次元半導体の一つであるMoS₂に対し有効なドーパントとなること、またDMF分子とMoS₂の間に特異的な相互作用があることを報告した。本発表では、MoS₂とDMF分子間の相互作用について、さらなる検討を行ったので報告をする。